收藏本站
IRFH5255PbF
20
225
15
10
5
0
ID = 15A
T J = 125°C
T J = 25°C
200
175
150
125
100
75
50
25
0
ID
TOP 4.13A
8.40A
BOTTOM 15A
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
50
75
100
125
150
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage
15V
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 13. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
V (BR)DSS
tp
VDS
L
DRIVER
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 Ω
+
-
VDD
A
I AS
Fig 14a. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 14b. Unclamped Inductive Waveforms
- V DD
V DS
V GS
R G
GS
V 10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1
R D
D.U.T.
+
V DS
90%
10%
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 15a. Switching Time Test Circuit
Fig 15b. Switching Time Waveforms
5
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
Submit Datasheet Feedback
December 16, 2013
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRFH5306TRPBF MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
IRFH5406TRPBF MOSFET N-CH 60V 40A 8-PQFN
IRFH7921TRPBF MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
IRFH7923TRPBF MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
IRFHS9301TR2PBF MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
IRFI1310N MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
IRFI520N MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
IRFI530N MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
相关代理商/技术参数
IRFH5300PBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFH5300TR2PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 100A 1.4mOhm mx 50nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFH5300TRPBF 功能描述:MOSFET 30V SINGLE N-CH 1.4mOhms 50nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFH5301PBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFH5301TR2PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 100A 1.85mOhm mx 37nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFH5301TRPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFH5302DTR2PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V FETky 100A 2.5mOhm 26nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFH5302DTRPBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N / P CH 2.5mOhms 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube